Nákupný košík

Nákupný košík

Prihlásenie do obchodu

tranzistorové moduly MOSFET

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Diskrétne polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET


Modul dióda SiC/tranzistor 1,2kV 23A SP1 Ugs ±30V Idm 195A

Dostupnost Len na objednávku
Čiarový kód:
Identifikátor tovaru: TMEAPTM120DA30CT1G
Balenie:
Minimálne množstvo: 12
Výrobca: MICROCHIP (MICROSEMI)

€107.8 (cena s DPH)
€89.1 (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevné ceny

Množstvo 12+ ks Viac
Cena/ks €89.13 Cena dotazom

Množstvo

Minimálne množstvo: 12


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul dióda SiC/tranzistor 1,2kV 23A SP1 Ugs ±30V Idm 195A - Popis produktu

VýrobcaMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET
Štruktúra polovodičadióda SiC/tranzistor
Napätie drain-source1.2kV
Prúd drainu23A
PuzdroSP1
Topológiaboost chopper
Topológiatermistor NTC
Elektrická montážPress-in PCB
Odpor v zopnutom stave360mΩ
Impulzný prúd kolektora195A
Rozptýlenie energie657W
TechnológiaPOWER MOS 8®
TechnológiaSiC
Napätie gate-source±30V
Mechanická montážpriskrutkovaním