GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Diskrétne polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Dostupnost | Len na objednávku |
|---|---|
| Čiarový kód: | |
| Identifikátor tovaru: | TMEAPTM120DA30CT1G |
| Balenie: | |
| Minimálne množstvo: | 12 |
| Výrobca: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul dióda SiC/tranzistor 1,2kV 23A SP1 Ugs ±30V Idm 195A - Popis produktu
| Výrobca | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Štruktúra polovodiča | dióda SiC/tranzistor |
| Napätie drain-source | 1.2kV |
| Prúd drainu | 23A |
| Puzdro | SP1 |
| Topológia | boost chopper |
| Topológia | termistor NTC |
| Elektrická montáž | Press-in PCB |
| Odpor v zopnutom stave | 360mΩ |
| Impulzný prúd kolektora | 195A |
| Rozptýlenie energie | 657W |
| Technológia | POWER MOS 8® |
| Technológia | SiC |
| Napätie gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | priskrutkovaním |