GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Diskrétne polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Dostupnost | Len na objednávku |
|---|---|
| Čiarový kód: | |
| Identifikátor tovaru: | TMEAPTM100UM65SCAVG |
| Balenie: | |
| Minimálne množstvo: | 3 |
| Výrobca: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul dióda SiC/tranzistor 1kV 110A SP6 Ugs ±30V Idm 580A - Popis produktu
| Výrobca | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Štruktúra polovodiča | dióda SiC/tranzistor |
| Napätie drain-source | 1kV |
| Prúd drainu | 110A |
| Puzdro | SP6 |
| Topológia | samostatný tranzistor + sériová dióda + paralelná dióda |
| Elektrická montáž | priskrutkovaním |
| Odpor v zopnutom stave | 78mΩ |
| Impulzný prúd kolektora | 580A |
| Rozptýlenie energie | 3.25kW |
| Technológia | POWER MOS 7® |
| Technológia | SiC |
| Napätie gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | priskrutkovaním |