Nákupný košík

Nákupný košík

Prihlásenie do obchodu

tranzistorové moduly MOSFET

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Diskrétne polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET


Modul dióda SiC/tranzistor 1kV 110A SP6 Ugs ±30V Idm 580A

Dostupnost Len na objednávku
Čiarový kód:
Identifikátor tovaru: TMEAPTM100UM65SCAVG
Balenie:
Minimálne množstvo: 3
Výrobca: MICROCHIP (MICROSEMI)

€500.5 (cena s DPH)
€413.7 (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevné ceny

Množstvo 3+ ks Viac
Cena/ks €413.67 Cena dotazom

Množstvo

Minimálne množstvo: 3


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul dióda SiC/tranzistor 1kV 110A SP6 Ugs ±30V Idm 580A - Popis produktu

VýrobcaMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET
Štruktúra polovodičadióda SiC/tranzistor
Napätie drain-source1kV
Prúd drainu110A
PuzdroSP6
Topológiasamostatný tranzistor + sériová dióda + paralelná dióda
Elektrická montážpriskrutkovaním
Odpor v zopnutom stave78mΩ
Impulzný prúd kolektora580A
Rozptýlenie energie3.25kW
TechnológiaPOWER MOS 7®
TechnológiaSiC
Napätie gate-source±30V
Mechanická montážpriskrutkovaním