Nákupný košík

Nákupný košík

Prihlásenie do obchodu

tranzistorové moduly MOSFET

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Diskrétne polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET


Modul dióda SiC/tranzistor 1kV 49A SP6C Ugs ±30V Idm 240A

Čiarový kód:
Identifikátor tovaru: TMEAPTM100A13SCG
Balenie:
Minimálne množstvo: 4
Dostupnost Len na objednávku
Výrobca: MICROCHIP (MICROSEMI)

Množstvo


Poplatky za dopravu

(cena s DPH) na dotaz

Modul dióda SiC/tranzistor 1kV 49A SP6C Ugs ±30V Idm 240A - Popis produktu

VýrobcaMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET
Štruktúra polovodičadióda SiC/tranzistor
Napätie drain-source1kV
Prúd drainu49A
PuzdroSP6C
Topológiapolovičný mostík MOSFET + sériové diódy + paralelné diódy
Elektrická montážkonektory FASTON
Elektrická montážpriskrutkovaním
Odpor v zopnutom stave156mΩ
Impulzný prúd kolektora240A
Rozptýlenie energie1.25kW
TechnológiaPOWER MOS 7®
TechnológiaSiC
Napätie gate-source±30V
Mechanická montážpriskrutkovaním