Nákupný košík

Nákupný košík

Prihlásenie do obchodu

tranzistorové moduly MOSFET

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Diskrétne polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET


Modul dióda SiC/tranzistor 500V 110A SP6C Ugs ±30V Idm 600A

Dostupnost Len na objednávku
Čiarový kód:
Identifikátor tovaru: TMEAPTM50AM24SCG
Balenie:
Minimálne množstvo: 4
Výrobca: MICROCHIP (MICROSEMI)

€392 (cena s DPH)
€323.9 (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevné ceny

Množstvo 4+ ks Viac
Cena/ks €323.94 Cena dotazom

Množstvo

Minimálne množstvo: 4


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul dióda SiC/tranzistor 500V 110A SP6C Ugs ±30V Idm 600A - Popis produktu

VýrobcaMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET
Štruktúra polovodičadióda SiC/tranzistor
Napätie drain-source500V
Prúd drainu110A
PuzdroSP6C
Topológiapolovičný mostík MOSFET + sériové diódy + paralelné diódy
Elektrická montážkonektory FASTON
Elektrická montážpriskrutkovaním
Odpor v zopnutom stave28mΩ
Impulzný prúd kolektora600A
Rozptýlenie energie1.25kW
TechnológiaPOWER MOS 7®
TechnológiaSiC
Napätie gate-source±30V
Mechanická montážpriskrutkovaním