Nákupný košík

Nákupný košík

Prihlásenie do obchodu

tranzistorové moduly MOSFET

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Diskrétne polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET


Modul dióda SiC/tranzistor 500V 67A SP4 Ugs ±30V Idm 360A

Dostupnost Len na objednávku
Čiarový kód:
Identifikátor tovaru: TMEAPTM50AM38SCTG
Balenie:
Minimálne množstvo: 6
Výrobca: MICROCHIP (MICROSEMI)

€242.3 (cena s DPH)
€200.3 (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevné ceny

Množstvo 6+ ks Viac
Cena/ks €200.28 Cena dotazom

Množstvo

Minimálne množstvo: 6


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul dióda SiC/tranzistor 500V 67A SP4 Ugs ±30V Idm 360A - Popis produktu

VýrobcaMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET
Štruktúra polovodičadióda SiC/tranzistor
Napätie drain-source500V
Prúd drainu67A
PuzdroSP4
Topológiapolovičný mostík MOSFET + sériové diódy + paralelné diódy
Topológiatermistor NTC
Elektrická montážkonektory FASTON
Elektrická montážpriskrutkovaním
Odpor v zopnutom stave45mΩ
Impulzný prúd kolektora360A
Rozptýlenie energie694W
TechnológiaPOWER MOS 7®
TechnológiaSiC
Napätie gate-source±30V
Mechanická montážpriskrutkovaním