Nákupný košík

Nákupný košík

Prihlásenie do obchodu

tranzistorové moduly MOSFET

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Diskrétne polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET


Modul dióda SiC/tranzistor 600V 38A SP1 Ugs ±20V Idm 130A

Dostupnost Len na objednávku
Čiarový kód:
Identifikátor tovaru: TMEAPTC60AM45BC1G
Balenie:
Minimálne množstvo: 11
Výrobca: MICROCHIP (MICROSEMI)

€106.6 (cena s DPH)
€88.1 (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevné ceny

Množstvo 11+ ks Viac
Cena/ks €88.1 Cena dotazom

Množstvo

Minimálne množstvo: 11


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul dióda SiC/tranzistor 600V 38A SP1 Ugs ±20V Idm 130A - Popis produktu

VýrobcaMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET
Štruktúra polovodičadióda SiC/tranzistor
Napätie drain-source600V
Prúd drainu38A
PuzdroSP1
Topológiaboost chopper
Topológiapolomost MOSFET
Elektrická montážPress-in PCB
Odpor v zopnutom stave45mΩ
Impulzný prúd kolektora130A
Rozptýlenie energie250W
TechnológiaCoolMOS™
TechnológiaSiC
Napätie gate-source±20V
Mechanická montážpriskrutkovaním