Nákupný košík

Nákupný košík

Prihlásenie do obchodu

tranzistorové moduly MOSFET

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Diskrétne polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET


Modul dióda SiC/tranzistor 600V 38A SP1 Ugs ±20V Idm 130A

Čiarový kód:
Identifikátor tovaru: TMEAPTC60AM45BC1G
Balenie:
Minimálne množstvo: 11
Dostupnost Len na objednávku
Výrobca: MICROCHIP (MICROSEMI)

Množstvo


Poplatky za dopravu

(cena s DPH) na dotaz

Modul dióda SiC/tranzistor 600V 38A SP1 Ugs ±20V Idm 130A - Popis produktu

VýrobcaMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET
Štruktúra polovodičadióda SiC/tranzistor
Napätie drain-source600V
Prúd drainu38A
PuzdroSP1
Topológiaboost chopper
Topológiapolomost MOSFET
Elektrická montážPress-in PCB
Odpor v zopnutom stave45mΩ
Impulzný prúd kolektora130A
Rozptýlenie energie250W
TechnológiaCoolMOS™
TechnológiaSiC
Napätie gate-source±20V
Mechanická montážpriskrutkovaním