GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Diskrétne polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Dostupnost | Len na objednávku |
|---|---|
| Čiarový kód: | |
| Identifikátor tovaru: | TMEAPTM120A20DG |
| Balenie: | |
| Minimálne množstvo: | 4 |
| Výrobca: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul dióda/tranzistor 1,2kV 37A SP6C Ugs ±30V Idm 200A - Popis produktu
| Výrobca | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Štruktúra polovodiča | dióda/tranzistor |
| Napätie drain-source | 1.2kV |
| Prúd drainu | 37A |
| Puzdro | SP6C |
| Topológia | polovičný mostík MOSFET + sériové diódy |
| Elektrická montáž | konektory FASTON |
| Elektrická montáž | priskrutkovaním |
| Odpor v zopnutom stave | 240mΩ |
| Impulzný prúd kolektora | 200A |
| Rozptýlenie energie | 1.25kW |
| Technológia | POWER MOS 7® |
| Napätie gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | priskrutkovaním |