Nákupný košík

Nákupný košík

Prihlásenie do obchodu

tranzistorové moduly MOSFET

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Diskrétne polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET


Modul dióda/tranzistor 1kV 110A SP6C Ugs ±30V Idm 580A

Čiarový kód:
Identifikátor tovaru: TMEAPTM100UM65SAG
Balenie:
Minimálne množstvo: 4
Dostupnost Len na objednávku
Výrobca: MICROCHIP (MICROSEMI)

Množstvo

Množstvo 4+ ks Viac
Cena/ks €275.1 Cena dotazom

Poplatky za dopravu

€332.9 (cena s DPH)
€275.1 (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Modul dióda/tranzistor 1kV 110A SP6C Ugs ±30V Idm 580A - Popis produktu

VýrobcaMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET
Štruktúra polovodičadióda/tranzistor
Napätie drain-source1kV
Prúd drainu110A
PuzdroSP6C
Topológiasamostatný tranzistor + sériová dióda + paralelná dióda
Elektrická montážkonektory FASTON
Elektrická montážpriskrutkovaním
Odpor v zopnutom stave78mΩ
Impulzný prúd kolektora580A
Rozptýlenie energie3.25kW
TechnológiaPOWER MOS 7®
Napätie gate-source±30V
Mechanická montážpriskrutkovaním