Nákupný košík

Nákupný košík

Prihlásenie do obchodu

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Tranzistory » IGBT Tranzistory


Modul IGBT dióda/tranzistor asymetrický mostík Urmax 1,2kV

Čiarový kód:
Identifikátor tovaru: TMEAPTGT150DH120G
Balenie:
Minimálne množstvo: 6
Dostupnost Len na objednávku
Výrobca: MICROCHIP (MICROSEMI)

Množstvo

Množstvo 6+ ks Viac
Cena/ks €178.68 Cena dotazom

Poplatky za dopravu

€216.2 (cena s DPH)
€178.7 (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Modul IGBT dióda/tranzistor asymetrický mostík Urmax 1,2kV - Popis produktu

VýrobcaMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ moduluIGBT
Štruktúra polovodičadióda/tranzistor
Topológiaasymetrický mostík
Max. záverné napätie1.2kV
Kolektorový prúd150A
PuzdroSP6C
Elektrická montážkonektory FASTON
Elektrická montážpriskrutkovaním
Napätie hradlo - emitor±20V
Impulzný kolektorový prúd350A
TechnológiaField Stop
TechnológiaTrench
Mechanická montážpriskrutkovaním