GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Diskrétne polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Centrální sklad i | 232 ks |
|---|---|
| Čiarový kód: | |
| Identifikátor tovaru: | TMEIXFN360N10T |
| Balenie: | |
| Minimálne množstvo: | 1 |
| Výrobca: | IXYS |
Modul samostatný tranzistor 100V 360A SOT227B Ugs ±30V 830W - Popis produktu
| Výrobca | IXYS |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor |
| Napätie drain-source | 100V |
| Prúd drainu | 360A |
| Puzdro | SOT227B |
| Elektrická montáž | priskrutkovaním |
| Polarizácia | unipolárny |
| Odpor v zopnutom stave | 2.6mΩ |
| Impulzný prúd kolektora | 900A |
| Rozptýlenie energie | 830W |
| Technológia | GigaMOS™ |
| Technológia | HiPerFET™ |
| Druh kanálu | obohatený |
| Náboj hradla | 525nC |
| Čas zotavenia | 130ns |
| Napätie gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | priskrutkovaním |