GSMCentrum.CZ » Elektronické súčiastky. » Diskrétne polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Centrální sklad i | 6 ks |
|---|---|
| Čiarový kód: | |
| Identifikátor tovaru: | TMEIXFN26N100P |
| Balenie: | |
| Minimálne množstvo: | 1 |
| Výrobca: | IXYS |
Modul samostatný tranzistor 1kV 23A SOT227B Ugs ±40V Idm 65A - Popis produktu
| Výrobca | IXYS |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor |
| Napätie drain-source | 1kV |
| Prúd drainu | 23A |
| Puzdro | SOT227B |
| Elektrická montáž | priskrutkovaním |
| Polarizácia | unipolárny |
| Odpor v zopnutom stave | 390mΩ |
| Impulzný prúd kolektora | 65A |
| Rozptýlenie energie | 595W |
| Technológia | HiPerFET™ |
| Technológia | Polar™ |
| Druh kanálu | obohatený |
| Náboj hradla | 197nC |
| Čas zotavenia | 300ns |
| Napätie gate-source | ±40V |
| Mechanická montáž | priskrutkovaním |